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IBM和三星宣布了半導(dǎo)體設(shè)計(jì)方面的一項(xiàng)新進(jìn)展，他們稱這將顯著延長手機(jī)電池壽命。這兩家公司的發(fā)現(xiàn)被稱為垂直輸運(yùn)場效應(yīng)晶體管(簡稱VTFET)，是一種垂直而不是水平疊加晶體管的新方法。

由于晶體管是垂直于芯片表面構(gòu)建的，因此電流將以上下流動(dòng)模式運(yùn)行，而不是左右流動(dòng)模式運(yùn)行。與FinFET的設(shè)計(jì)相比，VTFET“有潛力減少85%的能源使用”，IBM報(bào)告說，這為未來的改進(jìn)打開了大門，比如“手機(jī)電池可以在不充電的情況下持續(xù)一周以上”，而不是僅僅幾天。

IBM和三星還表示，全球芯片短缺是推進(jìn)半導(dǎo)體研發(fā)的動(dòng)力。IBM研究院混合云和系統(tǒng)副總裁Mukesh Khare博士表示:“今天的技術(shù)聲明是關(guān)于挑戰(zhàn)傳統(tǒng)，并重新思考我們?nèi)绾卫^續(xù)推進(jìn)社會(huì)，提供新的創(chuàng)新，以改善生活、業(yè)務(wù)和減少我們的環(huán)境影響。考慮到該行業(yè)目前在多個(gè)方面面臨的限制，IBM和三星正在展示我們在半導(dǎo)體設(shè)計(jì)方面的聯(lián)合創(chuàng)新的承諾，并共同追求我們所說的‘硬技術(shù)’。”

這種新設(shè)計(jì)將有助于芯片設(shè)計(jì)師在未來幾年里嘗試在給定的空間內(nèi)安裝更多的晶體管，并有助于減少加密挖掘和數(shù)據(jù)加密等能源密集型過程的碳足跡。